首页> 外文OA文献 >Ultra Thin Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistor with Nickel Silicide Contact

【2h】

Ultra Thin Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistor with Nickel Silicide Contact

机译：具有镍硅化物接触的超薄多晶硅纳米片无结构场效应晶体管

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Yu-Ru Lin; Wan-Ting Tsai; Yung-Chun Wu; Yu-Hsien Lin;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Artificial Defects in Si3N4 Enhance Nonvolatile Memory Performance of Ultra-Thin Body Poly-Si Junctionless Field-Effect Transistors [J] . Lin Yu-Ru, Wang Wei-Cheng, Chen Lun-Chun, ECS Journal of Solid State Science and Technology . 2016,第4期

机译：Si3N4中的人工缺陷提高了超薄体多晶硅无结场效应晶体管的非易失性存储性能
2. Characterizing the Electrical Properties of a Novel Junctionless Poly-Si Ultrathin-Body Field-Effect Transistor Using a Trench Structure [J] . Yeh M., Wu Y., Wu M., Electron Device Letters, IEEE . 2015,第2期

机译：利用沟槽结构表征新型无结多晶硅超薄体场效应晶体管的电学特性
3. Hybrid P-Channel/N-Substrate Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors With Trench and Gate-All-Around Structure [J] . Yu-Ru Lin, Che-Hsiang Cheng, Yi-Ruei Jhan, IEEE transactions on nanotechnology . 2018,第5期

机译：具有沟槽和全栅结构的混合P沟道/ N衬底多晶硅纳米片无结场效应晶体管
4. High performance ultra-thin body (2.4nm) poly-Si junctionless thin film transistors with a trench structure [C] . Mu-Shih Yeh, Yung-Chun Wu, Min-Hsin Wu, IEEE International Electron Devices Meeting . 2014

机译：具有沟槽结构的高性能超薄体（2.4nm）多晶硅无结薄膜晶体管
5. X-ray absorption fine structure studies of ultrathin nickel silicide films [D] . Miller, Kevin 2011

机译：超薄镍硅化物膜的X射线吸收细结构研究
6. Ultra Thin Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistor with Nickel Silicide Contact [O] . Yu-Ru Lin, Wan-Ting Tsai, Yung-Chun Wu, 2017

机译：硅化镍接触的超薄多晶硅纳米片无结场效应晶体管
7. Erratum to: Progress of p-channel bottom-gate poly-Si thin-film transistor by nickel silicide seed-induced lateral crystallization [O] . Sol Kyu Lee, Ki Hwan Seok, Jae Hyo Park, 2016

机译：错误的：通过镍硅化镍种子诱导的横向结晶进展P沟道底栅聚-SI薄膜晶体管

Ultra Thin Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistor with Nickel Silicide Contact

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅